光伏技术与应用概论学习周期03任务_0018答案

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一、单项选择题(共 10 道试题,共 20 分。)
1. 太阳电池串叠时,能够吸收较高能量光谱的电池放在( )。
A. 上层
B. 下层
C. 中间
D. 任意
2. 太阳电池组件通常是由多个电池( )而成。
A. 串联
B. 并联
C. 串联或并联
D. 串叠
3. 薄膜电池迅速发展的最大优势是( )。
A. 成本优势
B. 转换效率提高空间大
C. 利用范围更加广泛
D. 对环境危害小
4. 硅晶体中任一原子最多形成( )个共价键。
A. 1
B. 2
C. 3
D. 4
5. 太阳电池组件目前使用最多的是( )封装方式。
A. 环氧树脂胶封
B. 层压封装
C. 硅胶封装
D. 以上皆不是
6. 下列太阳电池不属于薄膜电池系列的是( )。
A. CdTe
B. CIS
C. CIGS
D. GaAs
7. ( )由于其抗辐射能力强、耐高温和化学稳定性好,在航天技术领域有着广泛的应用。
A. 砷化镓
B. 磷化锢
C. 锑化锢
D. 碳化硅
8. 晶体管的工作温度高温限决定于( )的大小。
A. 禁带宽度
B. 电阻率
C. 载流子迁移率
D. 非平衡载流子寿命
9. 太阳电池材料缺陷属于下列( )影响太阳电池转换效率的主要因素。
A. 反射及遮蔽等光学性能损失
B. 载流子迁移复合损失
C. 连接转换等电学损失
D. 其它损失
10. 单晶硅电池的颜色多为( )。
A. 白色
B. 金色
C. 绿色
D. 深蓝
二、多项选择题(共 10 道试题,共 30 分。)
1. 太阳电池组件具有的主要特点有( )。
A. 满足不同电压输出要求
B. 有足够的机械强度
C. 有明显的电性能增益
D. 提高利用效率
2. 常用的半导体材料的特性参数有( )。
A. 禁带宽度
B. 电阻率
C. 载流子迁移率
D. 非平衡载流子寿命
E. 位错密度
3. 与其他太阳电池相比,制造单晶硅太阳电池( )。
A. 所用硅材料比较丰富
B. 制造技术比较成熟
C. 转换效率较高
D. 结晶中缺陷较小
4. 薄膜太阳电池中( )已商业化。
A. 非晶硅(a-Si)电池
B. 多晶硅(微晶硅μc-Si)薄膜电池
C. 碲化镉(CdTe)电池
D. 铜铟镓硒(CIGS)电池
5. 20世纪80年代初,主要把( )引入到电池的制造工艺中。
A. 表面钝化技术
B. 降低接触复合效应
C. 后处理提高载流子寿命
D. 改进陷光效应
6. 薄膜太阳电池得到迅速发展的原因主要有( )。
A. 成本优势
B. 转换效率提高空间大
C. 利用范围更加广泛
D. 对环境危害小
7. 薄膜电池材料包括( )。
A. 非晶硅薄膜
B. 多晶硅(微晶硅)薄膜
C. CdTe
D. CdS薄膜
E. CuInSe2(CuInS2)薄膜
8. 硅晶太阳电池存在着固有弱点主要有( )。
A. 光电转换理论效率相对较低
B. 光吸收系数远远低于其他太阳光电材料
C. 相对成本较高
D. 尺寸相对较小
9. 对于太阳电池来说,为了得到高的转换效率,要求材料有大的( )和适中的( )。
A. 禁带宽度
B. 电阻率
C. 载流子迁移率
D. 非平衡载流子寿命
E. 位错密度
10. 制约单晶硅太阳电池光电转换效率进一步提高的主要技术障碍有( )。
A. 电池表面栅线遮光影响
B. 电池表面光反射损失
C. 光传导损失
D. 内部复合损失
E. 表面复合损失
三、判断题(共 10 道试题,共 20 分。)
1. 太阳电池的最高转换效率不可能达到100%。
A. 错误
B. 正确
2. 高纯硅制造多晶硅,不是拉成单晶,而是熔化定向凝固成正方形的硅锭。
A. 错误
B. 正确
3. 因光诱导衰减影响,非晶硅电池的效率随时间增加而逐渐降低。
A. 错误
B. 正确
4. 光电器件对半导体材料特性的要求中,高的灵敏度和短的弛豫时间二者难于兼顾。
A. 错误
B. 正确
5. 染料敏化纳米晶太阳电池的制造成本高于传统的硅晶太阳电池。
A. 错误
B. 正确
6. 传统硅晶太阳电池的性能随温度升高而下降。
A. 错误
B. 正确
7. 区熔(FZ)硅单晶主要用来制作晶体管和集成电路以及外延生长的衬地。
A. 错误
B. 正确
8. 非晶硅太阳电池的结构最常采用的是P-N结构。
A. 错误
B. 正确
9. 重掺半导体材料的性质接近绝缘体,而高阻半导体材料性质则接近导体。
A. 错误
B. 正确
10. 硅晶体的半导体性源于共价键。
A. 错误
B. 正确
四、阅读理解(共 10 道试题,共 30 分。)
1. 将下列新型太阳电池的名称及其主要特性描述一一对应。
1). PREL
A. 埋栅
B. 高效背表面反射器
C. 发射极钝化及背面局部扩散
2). BCSC
A. 埋栅
B. 高效背表面反射器
C. 发射极钝化及背面局部扩散
3). BSR
A. 埋栅
B. 高效背表面反射器
C. 发射极钝化及背面局部扩散
2. 将下列太阳电池种类与实验室最大效率一一对应。
1). 多晶硅
A. 11.83 %
B. 12%
C. 20.4%
2). 非晶硅单结
A. 11.83 %
B. 12%
C. 20.4%
3). 非晶硅多结
A. 11.83 %
B. 12%
C. 20.4%
3. 将下列半导体材料种类与代表材料一一对应。
1). 元素半导体
A. 砷化镓
B. 氧化物玻璃
C. 硅
2). 化合物半导体
A. 砷化镓
B. 氧化物玻璃
C. 硅
3). 无定形半导体材料
A. 砷化镓
B. 氧化物玻璃
C. 硅
4. 将下列太阳电池种类一一对应。
1). 化合物晶体
A. 砷化镓
B. 染料敏化
C. 铜铟镓硒
2). 化合物薄膜
A. 砷化镓
B. 染料敏化
C. 铜铟镓硒
3). 有机染料
A. 砷化镓
B. 染料敏化
C. 铜铟镓硒
5. 将下列硅太阳电池种类与工业化生产光电转换效率一一对应。
1). 单晶硅
A. 7~9%
B. 15~17%
C. 16~18%
2). 多晶硅
A. 7~9%
B. 15~17%
C. 16~18%
3). 非晶硅
A. 7~9%
B. 15~17%
C. 16~18%
6. 将下列太阳电池种类与实验室最大效率一一对应。
1). 单晶硅太阳电池
A. 12%
B. 20.4%
C. 25%
2). 多晶硅太阳电池
A. 12%
B. 20.4%
C. 25%
3). 非晶硅单结太阳电池
A. 12%
B. 20.4%
C. 25%
7. 将下列半导体材料的特性参数与其性质一一对应。
1). 禁带宽度
A. 反映材料的导电能力
B.
反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性
C.
反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量
2). 电阻率、载流子迁移率
A. 反映材料的导电能力
B.
反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性
C.
反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量
3). 非平衡载流子寿命
A. 反映材料的导电能力
B.
反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性
C.
反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量
8. 将下列硅太阳电池发展历程一一对应。
1). 1958年
A.
硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用
B.
把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中
C.
把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中
2). 20世纪70年代初
A.
硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用
B.
把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中
C.
把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中
3). 20世纪80年代初
A.
硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用
B.
把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中
C. 把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中
9. 将下列线切割经常出现的问题与可能的原因一一对应。
1). 断线
A. 切割工艺出现异常
B. 硅棒对接位置不好
C. 加工好的硅片在空气中停留时间过长
2). 跳线
A. 切割工艺出现异常
B. 硅棒对接位置不好
C. 加工好的硅片在空气中停留时间过长
3). 花片
A. 切割工艺出现异常
B. 硅棒对接位置不好
C. 加工好的硅片在空气中停留时间过长
10. 将下列影响太阳电池光电转换效率的主要因素一一对应。
1). 反射遮荫等光学损失
A. 温度及衰减损失
B. 逆变器等电器损耗
C. 封装材料透光率
2). 载流子复合损失
A. 温度及衰减损失
B. 逆变器等电器损耗
C. 封装材料透光率
3). 连接转换等电学损失
A. 温度及衰减损失
B. 逆变器等电器损耗
C. 封装材料透光率

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