1：温度升高，晶体管的管压降│Ube│()。
A：增大
B：减小
C：不变
D：不确定
2：引起共射放大电路输出波形出现饱和失真的主要原因是()。
A：输入电阻太小
B：静态工作点偏低
C：静态工作点偏高
D：输出电阻太小
3：对PNP型晶体管来说，当其工作于放大状态时，()极的电位最低。
A：发射极
B：基极
C：集电极
D：不确定
4：在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是()放大电路。
A：共射极
B：共集电极
C：共基极
D：不确定
5：在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于()。
A：温度
B：掺杂工艺
C：杂质浓度
D：晶体缺陷
6：在掺杂半导体中，少子的浓度受()的影响很大。
A：温度
B：掺杂工艺
C：杂质浓度
D：晶体缺陷
7：以下关于BJT放大电路三种组态的特点说法错误的是()。
A：共射极放大电路的电压和电流增益都大于1
B：共射极放大电路常用于高频或宽频带低输入阻抗的场合
C：共集电极放大电路只有电流放大作用，没有电压放大
D：共基极放电电路只有电压放大作用，没有电流放大
8：BJT处于放大状态的条件是()。
A：发射结正偏，集电结反偏
B：发射结正偏，集电结正偏
C：发射结反偏，集电结正偏
D：发射结反偏，集电结反偏
9：引起放大电路静态工作点不稳定的诸因素中，()的影响最大。
A：电源电压的波动
B：元件参数的分散性
C：元件的老化
D：环境温度变化
10：测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、2.2V，则该管()。
A：处于饱和状态
B：处于放大状态
C：处于截止状态
D：已损坏
11：BJT有三个极、三个区、三个PN结。
A：错误
B：正确
12：温度升高，晶体管输入特性曲线右移。
A：错误
B：正确
13：阻容耦合多级放大电路不能抑制零点漂移。
A：错误
B：正确
14：当环境温度升高时，二极管的正向电压将降低。
A：错误
B：正确
15：当环境温度升高时，二极管的死区电压将升高。
A：错误
B：正确
16：利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的交流参数。
A：错误
B：正确
17：半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。
A：错误
B：正确
18：与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能高。
A：错误
B：正确
19：二极管的反向电流值愈小，管子的单向导电性愈差。
A：错误
B：正确
20：一般来说，放大电路的输入电阻越大越好，输出电阻越小越好。
A：错误
B：正确
