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题目：多晶硅属于（）: 体心立方结构; 面心立方结构; 简单立方结构; 金刚石结构
题目：二元相图通常采用（）的坐标系。: 压强-浓度（p-x）图; 温度-浓度（T-x）图; 温度-压力（T-p）图; 三棱柱模型
题目：根据晶胞外形即极边长度之间的关系和晶轴之间的夹角情况，而不涉及晶胞中原子的具体排列情况，可将所有晶体分成（）个晶系，（）种布拉菲点阵。: 7、14; 5、10; 6、12; 10、20
题目：关于二氧化硅以下说法错误的是（）: 制造冶金硅的主要原料之一; 能与HF反应; SiO2不溶于水，但能于热的浓碱溶液反应生成硅酸盐，反应较快; 石英是地壳中分布很少的矿物
题目：关于硅单质说法错误的是（）。: 在常压下具有金刚石型结构; 原子晶体，是深灰色而带有金属光泽的晶体; 熔点为1420℃，沸点为2355℃; 具有类似金属的塑性
题目：关于硅的化学性质说法错误的是（）。: 在高温下，硅几乎与所有物质发生化学反应; 硅单质在常温下能与氢氟酸和硝酸的混合物反应; 硅单质在常温下化学性质十分稳定; 硅材料的一个重要优点就是硅表面很不容易氧化
题目：关于四氯化硅以下说法错误的是（）: 无色而有刺鼻气味的液体; 熔点-70℃，沸点57.6℃; 不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂; 可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用
题目：关于位错密度说法错误的是（）。: 也可理解为穿越单位截面积的位错线的数目; 是单位体积晶体中所包含的位错线总长度; 通常情况下制得位错密度较小的材料; 位错密度大或小，相应材料的力学性能均较佳
题目：观察晶体中位错最简单的方法是（）。: 透射电镜法; 手触感觉法; 浸蚀观察法; 肉眼观察法
题目：硅晶体的解理面有（）: {112}晶面和{110}晶面; {111}晶面和{100}晶面; {111}晶面和{110}晶面; {110}晶面和{100}晶面
题目：面心立方结构晶胞中的原子数为（）: 4; 8; 14; 1
题目：漂晶现象的原因在于（）。: 籽晶太小; 过冷度太大; 杂质太多; 液面上这些位置不能保持正驱动力
题目：室温一个大气压下，液态水的自由度为（）。: 3; 2; 0; 1
题目：西门子法作为硅的提纯工艺，所用的原料主要是（）: P型硅半导体; 99.9999%（6个9）的为太阳能级硅; 99.999999999%（11个9）的为电子级硅; 95%-99%的冶金级硅
题目：下列属于面缺陷的是（）: 位错; 空洞; 空位; 晶界
题目：液态水、冰、水蒸气共存时，独立组元数为（）。: 2; 3; 1; 0
题目：一般热处理时的原子扩散主要与（）有关: 以上都不是; 位错; 空位; 晶界
题目：以下（）不是自然界中的硅同位素。: 30Si; 29Si; 32Si; 28Si
题目：杂质原子与基体原子尺寸相当，容易形成（）: 置换原子; 位错; 空位; 间隙原子
题目：正温度梯度与负温度梯度相比，（）。: 正温度梯度是指液相温度随离液-固界面的距离增大而降低; 负温度梯度有利于完整晶体的生长; 正温度梯度时结晶潜热只能通过固相而散出，相界面的推移速度受固相传热速度所控制; 正温度梯度容易产生枝晶生长
题目：不能用于区分晶体与非晶体的是（）: 密度的大小; 熔点的高低; 是否具有确定的熔点; 原子排练是否有序
题目：采用适当的原料配比，都能得到解决或部分解决是（）。: 在固液两相区内生长晶体或是配料偏离同成分点时温度波动导致固相成分波动引起生长条纹; 晶体冷却时越过溶线引起脱溶沉淀; 由于组分过冷引起晶体的网络结构等; 晶体成分偏离理想配比引起点缺陷
题目：关于白炭黑说法准确的是（）。: 白碳黑是在特殊设计的炉子里在1370K下用四氯化硅在氧气流经过气相氧化制得的; 非常细小颗粒和极大的表面积; 具有化学惰性不会与硫化而引入的过氧化物反应; 硅氧烷橡胶里的主要增强填料
题目：关于单晶硅的晶体结构说法正确的是（）。: 硅原子轨道杂化以后，在sp3轨道上有4个未成对的价电子; 硅原子所有价电子都被束缚在共价键上，没有自由电子，所以不是导体; 共价键的饱和性使得硅最多只能形成4个共价键; 共价键的方向性使得每个硅原子都和周围4个最近邻的原子组成一个正四面体
题目：关于点缺陷说法错误的是（）。: 点缺陷使得固体内原子扩散更容易进行; 点缺陷使得滑移更容易进行; 空位越多，晶体的密度越低; 金属中的点缺陷增加了电阻
题目：关于固溶体与中间相说法错误的是（）。: Cu-Ni合金属于中间相; 形成的新相的晶体结构不同于任一组元，新形成的固相叫中间相; 固熔体一般具有较高的熔点及硬度; 某一组元作为溶剂，其他组元为溶质，所形成的与溶剂有相同晶体结构、晶格常数稍有变化的固相，称为固溶体
题目：关于硅的电阻率说法错误的是（）。: 硅的电导率对外界因素（如光、热、磁等）高度敏感; N型半导体和P型半导体的导电能力都比本征半导体大得多; 在高纯硅中掺入极微量的电活性杂质，其电阻率会显著下降; N型半导体中也有自由电子，但数量很少，称为少数载流子
题目：关于硅的卤化物说法错误的是（）。: 熔点、沸点都比较低; 都是共价化合物; 都是无色的; 一般都是无毒的
题目：关于晶体的宏观表面说法正确的是（）。: 表面最活跃的位置是台阶的边缘处; 从原子的尺度来看，十分粗糙而凹凸不平; 宏观表面一般与原子密排面平行; 宏观表面基本上由一系列平行的原子密排面及相应的台阶组成的
“题目：关于临界晶核说法错误的是（）。
: 临界半径与过冷度ΔT无关
; 晶胚的尺寸大于临界晶核，晶胚就成为稳定的晶核而后继续长大
; 均匀形核与非均匀形核的临界晶核大小不同
; 当晶胚的尺寸小于临界晶核，晶胚不稳定，难以长大，最终熔化而消失”
题目：关于三氯氢硅说法正确的是（）。: 可由硅粉与氯化氢合成而得; 可在高温高压下用氢还原四氯化硅生成三氯氢硅; 熔点-128℃，沸点31.5℃; 无色透明液体
题目：关于石英说法错误的是（）。: 与晶体硅一样是原子晶体; 由一个个的简单SiO2分子组成; 每个硅原子以SP3杂化形式同四个氧原子结合，形成SiO4四面体结构单元; 石英砂开采、加工成本较低
题目：关于位错的观察，说法正确的是（）。: 浸蚀观察法观察到的其实是位错的蚀坑; 蚀坑具有规则的外形，如三角形，正方形等规则的几何外形; 晶体内部位错无法浸蚀观察; 位错密度很大的晶体也能浸蚀观察
题目：硅在自然界主要以（）形式存在。: 石英砂; 硅单质; 硅酸盐; 白炭黑
题目：解理面通常是晶面间距较大的晶面。在金刚石结构中，下面晶面的晶面间距最大的是（）。: {110}; {111}; {100}; {120}
题目：金刚石结构的晶胞中原子数为（），配位数为（）。: 8、8; 8、4; 12、4; 4、4
“题目：两侧晶粒位向差为1°的晶界属于（）。
: 大角度晶界
; 刃位错
; 亚晶界
; 小角度晶界”
题目：热力学平衡条件包括（）。: 相平衡; 热平衡; 浓度平衡; 力学平衡
题目：下列不属于面缺陷的是（）。: 表面; 气孔; 间隙原子; 相界
题目：下列属于晶体的宏观特性的有（）: 长程有序; 解理性; 各向异性; 固定熔点
题目：柏氏矢量说明了畸变发生在什么晶向，是一个没有大小的量。
题目：点缺陷的平衡浓度随温度升高呈指数关系增加。
题目：硅晶体的半导体性源于共价键。
题目：硅是通过自由电子导电的，所以载流子就是自由电子。
题目：硅烷就是甲硅烷。
题目：硅在地壳中的丰度为25.90%，仅次于氧，硅的含量在所有元素中居第二位。
题目：滑移的方向是与位错线平行的为刃型位错。
题目：甲硅烷的化学性质很活泼，有强的氧化性。
题目：可很方便制备得到位错很少的多晶硅片。
题目：内能是随缺陷增加而增加的，所以空位越多越不稳定。
题目：平衡状态下，位错密度随温度升高呈指数关系增加。
题目：普通玻璃是无定形二氧化硅。
题目：刃型位错和螺型位错的判断可以通过晶体发生局部滑移的方向是与位错线垂直还是平行来区分。
题目：水晶是石英的单晶体，是一种坚硬、脆性、难溶的无色透明的固体。
题目：一氧化硅是硅和二氧化硅的均匀混合物在低压下加热到1450K以上生成的挥发性物质。
题目：有些杂质即使在硅中含量超过1015cm-3，也不会对电池的转换效率产生明显影响。
题目：在半导体的P-N结中，浓度梯度形成的扩散作用与内建电场的电场力的作用达到平衡。
题目：在常温下硅对多数酸是稳定的。
题目：在常温下硅能与稀碱溶液反应。
题目：在绝对温度零度和无外界激发的条件下，硅晶体没有自由电子存在，完全不导电。
“题目：将各类晶体缺陷与实例一一对应。
（1）点缺陷 一一[[2]]
（2）线缺陷 一一[[1]]
（3）面缺陷 一一[[3]]; [[1]] -> {A. 位错 / B. 空位 / C. 相界}”
“题目：将各种硅化合物与描述一一对应。
（1）二氧化硅 一一[[2]]
（2）三氯氢硅 一一[[1]]
（3）四氯化硅 一一[[3]]; [[1]] -> {A. 沸点31.5℃，室温下无色透明液体 / B. 可以从河砂中水洗去掉粘土等杂质和进行筛分得到 / C. 在潮湿空气中与水蒸气发生水解作用会产生烟雾}”
“题目：将各种硅化合物与熔沸点一一对应。
（1）四氯化硅 一一[[2]]
（2）三氯氢硅 一一[[3]]
（3）甲硅烷 一一[[1]]; [[1]] -> {A. 熔点-185℃，沸点-111.8℃ / B. 熔点-70℃，沸点57.6℃ / C. 熔点-128℃，沸点31.5℃}”
“题目：将各种硅化合物与作用一一对应。
（1）二氧化硅 一一[[2]]
（2）三氯氢硅 一一[[1]]
（3）甲硅烷 一一[[3]]; [[1]] -> {A. 可作为西门子法提纯硅材料的中间产物 / B. 制造冶金硅的主要原料之一 / C. 大量地用于制高纯硅，高温易热解}”
“题目：将硅材料与描述一一对应。
（1）电子级硅 [[2]]
（2）冶金级硅 一一[[3]]
（3）太阳能级硅 一一[[1]]; [[1]] -> {A. 99.9999% / B. 99.999999999% / C. 95%-99%}”
“题目：将硅的用途与性质一一对应。
（1）二极管 一一[[3]]
（2）集成电路 一一[[1]]
（3）光电池 一一[[2]]; [[1]] -> {A. 通过掩蔽、光刻、扩散等工艺，可在一个或几个很小的硅晶片上集结成一个或几个完整的电路 / B. 可以把光能转化成电能 / C. 制成晶体二极管后即能整流又能检波}”
“题目：将晶体的特性与解释一一对应。
（1）各向异性一一 [[3]]
（2）长程有序 一一[[2]]
（3）解理性 一一[[1]]; [[1]] -> {A. 晶体常具有沿某些确定方位的晶面劈裂的性质 / B. 粒子排列具有三维周期性、对称性 / C. 在不同方向上，晶体的物理性质不同，如电阻率、导电性能、导热性能、介电常数、光的折射、弹性、硬度等}”
“题目：将晶体结构与晶胞中原子数一一对应。
（1）简单立方结构 一一[[3]]
（2）体心立方结构 一一[[2]]
（3）面心立方结构 一一[[1]]; [[1]] -> {A. 4 / B. 2 / C. 1}”
“题目：将晶体生长方式与实例一一对应。
（1）固相生长 一一[[3]]
（2）液相生长 一一[[2]]
（3）汽相生长 一一[[1]]; [[1]] -> {A. 水汽凝结为冰晶 / B. 盐水溶液结晶 / C. 石墨在高温高压的条件下转变为金刚石}”
“题目：将相图与特点一一对应。
(1)匀晶相图一一[[1]]
(2)共晶相图一一[[2]]
(3)包晶相图一一[[3]]
; [[1]] -> {两组元在液态、固态都无限互溶 / L→α+β / L+α→β}”
