“题目：单晶硅片的电阻率一般控制在（）。
: 2～4·cm左右
; 1～3·cm左右
; 0.5～2·cm左右
; 0.1～0.3·cm左右”
题目：电磁铸锭法说法错误的是（）。: 熔体与坩埚不直接接触; 硅锭中晶粒较细小; 电磁力对硅熔体的作用，可能使硅熔体中掺杂剂的分布更为均匀; 较少晶体缺陷
题目：硅的熔点约为（）。: 800℃; 1420℃; 2200℃; 1200℃
题目：硅片切割中的碎料可用于（）。: 铸造多晶硅; 直拉单晶硅; 区熔单晶硅; 填坑
题目：硅片中磷扩散进行掺杂的原料是（）。: PH3; PH5; POCl3; B2O3
题目：目前常用的多晶硅铸锭炉单炉产量约为（）。: 450kg; 1000kg; 100kg; 250kg
题目：目前最常用的硅片的尺寸为（）。: 210mm×210mm; 156mm×156mm; 125mm×125mm; 100mm×100mm
题目：热交换法与布里奇曼法的主要区别在于（）。: 是否需要水冷; 成本; 能耗; 坩埚与热源的相互运动情况
题目：少子寿命的物理意义是（）。: 以上都不对; 非平衡少数载流子复合所需要的平均时间; 非平衡少数载流子扩散所需要的平均时间; 非平衡少数载流子跃迁所需要的平均时间
题目：生产1kg铸造多晶硅所需的能耗是（）kWh。: 以上都不对; 8～15; 3000%; 18～40
题目：太阳电池用单晶硅片的厚度约为（）。: 400～500um; 300～400um; 200～300um; 100～150um
题目：氧在铸造多晶硅中的浓度约为（）。: 1×107～1×108cm-3; 1×1020～1×1021cm-3; 1×1012～1×1013cm-3; 1×1017～1×1018cm-3
题目：一般制造一个重量为250～300kg的铸造多晶硅锭需要（）时间。: 35～45h; 55～65h; 25～35h; 15～25h
题目：用于测试硅片中少数载流子类型的测试是（）。: X射线法; 整流法; 四探针法; 显微镜观察法
“题目：铸造多晶硅的晶粒的大小一般为（）。
: 1mm左右
; 10cm左右
; 10mm左右
; 100μm左右”
题目：铸造多晶硅现在通称为（）。: fz-Si; cz-Si; 以上都不对; mc-Si
题目：铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（）。: 热交换法; 布里奇曼法; 浇铸法; 电磁铸锭法
题目：铸造多晶硅中的晶体掺杂可采用（）。: BH3; PH3; B; B2O3
题目：最常用于测试半导体材料电阻率的方法是（）。: 四探针法; 范德堡法; 扩展电阻法; 两探针法
题目：PCD方法可用于测量（）。: 少子寿命; 电阻率; 曲翘度; 平整度
题目：大热场的石墨坩埚往往被做成两瓣或三瓣式的原因在于（）。: 方便安装; 降低成本; 防止石墨坩埚被膨胀的石英坩埚撑破; 吸收剩余的熔硅凝固时体积增大而造成的应力，从而减少漏硅的危险
题目：工业硅生产过程中，要注意的是（）。: 通过选择合理的炉子结构参数和电气参数，保证反应区有足够高的温度; 及时捣炉，帮助沉料; 及时调整配料比，保持适宜的SiO2与碳的分子比; 保持料层有良好的透气性，及时排除反应生成的气体
题目：工业吸附对于吸附剂的要求包括（）。: 具有一定的机械强度，抗磨损; 有良好的物理及化学性能，耐热冲击，耐腐蚀; 选择性高; 具有较大的内表面，吸附容量大
题目：关于对czCZ法和fzFZ法说法描述正确的是（）。: 生长时都需借助要采用籽晶; 都需要使用缩颈工艺; 都需要采用真空气氛保护; 熔化时都需要采用坩埚
题目：关于硅粉与氯化氢合成三氯氢硅的生产工艺说法正确的是（）。: 放热反应; 要加热到所需温度才能进行; 温度升高后反而将影响产品收率; 吸热反应
题目：关于晶转说法正确的是（）。: 在某些晶转下，棱线或者小平面与直径的读取同步，引起直径的读值和拉速的大幅度跳动; 晶体和坩埚的旋转方向相同，以改善热场的对称性; 吊索和晶体出现共振时效果最好; 过高的晶转会使固液界的形状太凹
题目：关于完全互溶的A、B双组分的溶液与其混合蒸汽所组成的相图，说法正确的是（）。: 被两条曲线分为三个区域; 降温到液相线，产生第一个液滴，故液相线称为露点曲线; 降温到液相线上，正好产生第一个气泡，故液相线又称为泡点曲线; 升温到气相线上，正好产生第一个气泡，故气相线又称为泡点曲线
题目：关于SiO说法正确的是（）。: SiO很容易发生化学反应; 能在1500℃与C发生反应; 温度高于1500℃，由SiO2和SiC反应得到; 能与氧气发生反应
题目：硅烷法的特点是（）。: 不需用氢还原，甲硅烷可以热分解为多晶硅; 硅烷气体易于用吸附法提纯; 硅烷易爆炸; 易于分解为非晶硅
题目：化学法提纯高纯多晶硅的工艺包括（）。: 中间化合物的合成; 中间化合物的分离提纯; 区域提纯; 中间产物被还原或者是分解成高纯硅还原成高纯硅
题目：晶体中点缺陷浓度是（）效应共同作用的结果。: 点缺陷的产生; 点缺陷的扩散; 点缺陷分解; 点缺陷的复合
“题目：具有金刚石结构的的晶体中的解理面包括位错线的优先方向为（）。
: 〈210〉晶向{110}晶面族
; {100}<110>晶向晶面族
; {111}晶面族〈111〉晶向
; {211}〈211〉晶面族晶向”
题目：磷在硅中很容易去除，在于（）。: 磷的密度小; 磷的熔点低; 磷在硅熔液中很快得到蒸发; 磷在硅中的分配系数小于1
题目：石墨坩埚的寿命取决于（）。: 在晶体生长过程中的受热程度; 石墨坩埚的形状; 承受的重量; 石墨的材质
题目：位错影响说法正确的是（）。: 刃型位错也可能作为一排受主; 刃性位错作为一排施主中心向导带提供电子; 位错能够改变载流子浓度; 位错作为一个线电荷和空间电荷圆柱成为复合中心
题目：无坩埚区域提纯（）。: 硅也能采用水平区域提纯法; 熔硅不会流动是由于其很大的表面张力; 避免了坩埚的污染; 也可用于晶体生长
题目：以下对吸附描述正确的是升温和降压有助于（）。: 升温对于物理吸附影响很小化学吸附是可逆的; 化学吸附是不可逆的降压只是让水蒸气更容易挥发; 物理．吸附的进行吸附是可逆的; 脱咐的进行物理吸附是不可逆的
题目：由于跟FZ技术相比，CZ法具有（）。: 通过晶转和锅转控制晶体-熔体边界层能较好的控制径向掺杂均匀度; 晶体直径大; 对多晶形状要求低; 熔体稳定
题目：直拉单晶炉的主室包括（）。: 热绝缘筒和地盘; 石墨坩埚; 石墨加热器; 石英坩埚
题目：CZ法产生位错的环节和方式有（）。: 籽晶中的位错延伸、增殖; 籽晶表面损伤、机械磨损裂痕; 晶体表面存在温度梯度，产生很强的热应力; 单晶冷却时，晶体表面和中心由于收缩率不同产生很大的应力
题目：纯净的晶界也具有电活性，会影响多晶硅的电学性能。
题目：多晶硅的晶向多样，因此位错腐蚀坑一般显示为圆形或椭圆形。
题目：多晶硅锭中晶粒越细小，晶界越少。
题目：硅锭与坩埚壁接触的底部与四周都是晶粒较大的区域。
题目：硅片切割得越薄，切割损耗也越多。
题目：国内还不能生产铸造多晶硅的铸锭炉。
题目：浇铸法是很有应用前景的铸造多晶硅生产的新技术。
题目：目前的技术，大规模生产制造p型掺硼铸造多晶硅、掺镓的p型铸造多晶硅都是没有问题的。
题目：热交换法的铸锭炉底部不需要水冷。
题目：如果减少多晶硅铸锭炉的氮化硅喷涂工艺，可以降低成本。
题目：太阳电池用单晶硅片一般利用氢氧化钠腐蚀液来进行腐蚀，腐蚀深度要超过硅片机械损伤层的厚度，约为20～30um。
题目：太阳能行业用的硅片是不需要经过抛光的。
题目：通常晶体的生长速率越快，生产效率越高，但其温度梯度也越大，最终导致热应力越大，而高的热应力会导致高密度的位错，严重影响材料的质量。
题目：一般采用的是掺磷的n型多晶硅，而不是掺镓的p型多晶硅。
题目：影响铸造多晶硅晶体生长的主要因素是晶粒尺寸、固液界面、热应力、来自坩埚的污染等。
题目：与高纯石英坩埚相比，高纯石墨坩埚的成本更低，但更可能引入碳污染和金属杂质污染。
题目：在铸造多晶硅锭中，氧在高度方向的分布是上部高下部低。
题目：直流光电导衰退法可用于测量少子寿命，不需要接触硅片。
题目：铸造多晶硅晶体生长完成后，硅锭保持在熔点附近2～4h，使硅锭温度均匀，以减少热应力。
题目：铸造多晶硅中的金属沉淀不会影响载流子浓度。
“题目：将测试方法与作用一一对应。
（1） 整流法 一一[[3]]
（2）四探针法 一一[[2]]
（3）光电导衰退法 一一[[1]]; [[1]] -> {A. 少子寿命 / B. 电阻率 / C. 导电型号}”
“题目：将各工艺与能耗一一对应。
（1）区熔单晶硅 一一[[3]]
（2）直拉单晶硅 一一[[2]]
（3）铸造多晶硅 一一[[1]]; [[1]] -> {A. 8～15 kWh/Kg / B. 18～40 kWh/Kg / C. 30 kWh/Kg}”
“题目：将各种硅生产工艺与特点一一对应。
（1）mc-Si 一一[[3]]
（2）cz-Si 一一[[2]]
（3）fz-Si 一一[[1]]; [[1]] -> {A. 生产成本最高 / B. 对硅料的要求一般 / C. 转换效率一般最低}”
“题目：将硅片参数与作用一一对应。
（1）BOW 一一[[1]]
（2）TTV 一一[[3]]
（3）TIR 一一[[2]]; [[1]] -> {A. 弯曲度 / B. 平整度的一种量度 / C. 总厚度偏差}”
“题目：将硅中的各种元素与影响一一对应。
（1）B 一一[[3]]
（2）O 一一[[1]]
（3）H 一一[[2]]; [[1]] -> {A. 危害较大 / B. 有钝化效果 / C.特意加入，形成掺杂}”
“题目：将化学反应与作用一一对应。
（1）3Si+4HNO3=3SiO2↓+2H2O+4NO↑ 一一[[1]]
（2）SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O 一一[[3]]
（3）Si＋H2O+2 NaOH =Na2SiO3+2H2↑ 一一[[2]]; [[1]] -> {A. 去除硅表面的致密保护膜 / B. 碱腐蚀 / C. 酸腐蚀}”
“题目：将抛光工艺与描述一一对应。
（1）机械抛光法 一一[[2]]
（2）化学抛光法 一一[[3]]
（3）化学－机械抛光法 一一[[1]]; [[1]] -> {A. 现代半导体工业中普遍应用 / B. 采用细磨料颗料 / C. 硝酸与氢氟酸混合腐蚀液}”
“题目：将清洗时试剂与作用一一对应。
（1）无机酸 一一[[1]]
（2）有机溶剂 一一[[3]]
（3）过氧化氢 一一[[2]]; [[1]] -> {A. 去除镁、铝、铜、银、金、氧化铝、氧化镁、二氧化硅等杂质 / B. 对一些难溶物质转化为易溶物质 / C. 相似相溶}”
“题目：将吸杂工艺与描述一一对应。
（1）磷吸杂 一一[[1]]
（2）铝吸杂 一一[[3]]
（3）磷-铝共吸杂 一一[[2]]; [[1]] -> {A. 去除磷硅玻璃，将其中的金属杂质一并去除 / B.利用溅射、蒸发等技术制备一薄层，热处理合金化 / C. 除杂效果最佳}”
“题目：将制备方法与描述一一对应。
（1）布里曼法 一一[[1]]
（2）热交换法 一一[[2]]
（3）浇铸法 一一[[3]]; [[1]] -> {A. 坩埚需升降 / B. 固液界面比较平稳 / C. 熔化和结晶在两个不同的坩埚中进行}”
