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题目：（）对半导体单晶电化学腐蚀速度的影响最大。: 缓冲剂; 腐蚀液的成分; 电极电位; 腐蚀处理的温度和搅拌
题目：（）是半导体中最主要的缺陷，它属于线缺陷。: 杂质沉淀; 位错; 层错; 空位
题目：（）是目前国内最常用的判断半导体导电类型的方法。: 三探针法; 单探针点接触整流法; 冷热探笔法; 冷探笔法
题目：（）是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。: 线缺陷; 面缺陷; 点缺陷; 微缺陷
题目：（）是最简单的点缺陷。: 外来原子; 填隙原子; 空位; 络合体
题目：半导体硅的常用液体试剂腐蚀剂中HCL的浓度大致为（）。: 70%; 30%; 49%; 36%
题目：半导体器件厂就是用一定型号的（）来生产出所需要的半导体元件。: 以上皆不是; 多晶; 非晶; 单晶
题目：层错属于（）。: 杂质沉淀; 线缺陷; 面缺陷; 点缺陷
题目：缓冲剂一般是（）。: 弱酸弱碱; 弱碱; 弱酸; 强酸强碱
题目：冷热探笔法属于利用半导体的（）来测量导电类型的方法。: 整流效应; 以上二种皆可; 以上二种皆不可; 温差电效应
“题目：冷热探笔法主要适用于室温电阻率在（）的单晶。
: 1000Ω•cm以下
; 以上皆不是
; 1000Ω•cm
; 1000Ω•cm以上”
题目：目前国内外广泛采用（）测量半导体硅单晶电阻率。: 四探针法; 扩展电阻法; 范德堡法; 两探针法
题目：三探针法属于利用半导体的（）来测量导电类型的方法。: 以上二种皆可; 整流效应; 以上二种皆不可; 温差电效应
题目：位错密度通常采用（）来表示，可在金相显微镜下测定。: 以上皆不是; 线密度; 体密度; 面密度
题目：漩涡缺陷的A缺陷比B缺陷（）。: 一样大小; 小; 大; 未知
题目：漩涡缺陷是晶体中（）的局部聚集。: 线缺陷; 微缺陷; 面缺陷; 点缺陷
“题目：一般认为利用金属与半导体的点接触整流原理来测量导电类型的方法适用于室温电阻率在（）的硅单晶。
: 以上皆不是
; 小于1000Ω•cm
; 1～1000Ω•cm
; 大于1000Ω•cm”
题目：用冷热探笔法测量（）半导体时，冷端带负电，热端带正电。: PN型; P型; 以上皆不是; N型
题目：用冷热探笔法测量（）半导体时，冷端带正电，热端带负电。: PN型; P型; N型; 以上皆不是
题目：用冷热探笔法测量导电类型时，热探笔的温度要适当，以（）为宜。A）30～50℃B）40～60℃C）50～70℃D）60～80℃:
题目：半导体硅的常用腐蚀剂主要有（）。: Dash腐蚀液; Shimmel腐蚀液; Sirtl腐蚀液; Wright腐蚀液
题目：半导体晶体缺陷中的宏观缺陷主要有（）。: 星形结构; 杂质析出; 系属结构; 点缺陷
题目：半导体晶体缺陷中的微观缺陷主要有（）。: 点缺陷; 层错; 杂质沉淀; 位错
题目：半导体晶体缺陷主要包括（）。: 微观缺陷; 宏观缺陷; 表面机械损伤; 点阵应变
题目：半导体中非平衡少子载流子寿命的大小对半导体器件的（）有直接影响。: 晶体管的放大倍数; 开关管的开关时间; 太阳能电池的光电转换效率; 太阳能电池的填充因子
题目：测量少数载流子寿命时注入比控制的方法主要有（）方面。: 控制氙灯的闪光电压; 加滤光片; 加热硅单晶; 加光阑
题目：点缺陷主要包括（）。: 空位; 填隙原子; 外来原子; 络合体
题目：高频光电导衰退法的缺点主要有（）。: 仪器线路比较复杂; 依靠电容耦合; 干扰比较大; 测试方法比较简单
题目：高频光电导衰退法的优点主要有（）。: 样品较少受到污染; 测量时不必制作欧姆电极; 样品无需切割成一定的几何形状; 应用广泛
题目：构成电化学腐蚀需要具备的条件主要有（）。: 具有不同电极电位的半导体各部分要互相接触; 半导体电极电位的不同部分处于互相连通的电解质溶液中; 电解质腐蚀液可以是各种酸性或碱性的; 被腐蚀的半导体各个部分或区域之间存在电位差
题目：国内外半导体硅单晶导电类型的测量具体方法有（）。: 单探针点接触整流法; 冷热探笔法; 三探针法; 冷探笔法
题目：目前常用的测量非平衡少数载流子寿命的方法，一般主要有（）。: 直接法; 瞬态法; 稳态法; 间接法
题目：四探针法测量电阻率的测准条件主要有（）。: 电流通过样品不应引起样品的电导率发生变化; 一般采用1～2mm左右的针距较适宜; 四根探针应处于同一平面的同一条直线上; 样品的厚度必须大于3倍针距
题目：稳态法测量非平衡少数载流子寿命，主要采用的方法有（）。: 扩散长度法; 光电导衰退法; 光脉冲法; 光磁法
题目：下列有关漩涡缺陷的说法正确的是（）。: 是晶体中点缺陷的局部聚集; 漩涡条纹是不连续的; 由大量的浅蚀坑组成; 在晶体中实际上是呈螺旋阶梯分布的
题目：陷阱效应对少数载流子寿命测量的影响可以采用（）。: 使整个样品加底光照; 将硅单晶加热到50～70℃; 加底光照后用氙灯闪光进行照射; 将硅单晶加热到60～80℃
题目：影响半导体单晶电化学腐蚀速度的因素主要有（）。: 电极电位; 腐蚀液的成分; 腐蚀处理的温度和搅拌的影响; 缓冲剂的影响
题目：用接触法测量半导体单晶电阻率的方法主要有（）。: 两探针法; 四探针法; 范德堡法; 扩展电阻法
题目：直流光电导衰退法的缺点主要有（）。: 测量下限较高; 对样品有几何形状和几何尺寸的要求; 要求制备符合一定要求的欧姆接触; 仪器线路比较复杂
题目：直流光电导衰退法的优点主要有（）。: 可测量几个微秒的寿命; 测量准确度高; 测量下限较低; 测量电阻率的下限也较低
题目：半导体的陷阱中心数量是变化的。
题目：半导体硅在酸碱中所受到的腐蚀都属于电化学腐蚀。
题目：半导体体内的缺陷可用金相显微镜进行观察和计数。
题目：被腐蚀的半导体电极电位低的是负极，电极电位高的是正极，正级被腐蚀溶解。
题目：测量半导体硅单晶导电类型时，通常要对表面进行喷砂处理或进行研磨处理。
题目：当半导体内注入了非平衡载流子后，一方面依靠体内的杂质和缺陷作为复合中心，另一方面依靠表面能级作为复合中心。
题目：腐蚀液的成分对腐蚀速度影响最大。
题目：高频光电导衰退法测量非平衡少数载流子寿命的测量下限一般为10～20μs。
题目：硅单晶在不同腐蚀液中，P型硅的电极电位比N型硅的高。
题目：可以将小角度晶界看成是层错的排列。
题目：位错是半导体中最主要的缺陷。
题目：无论是直流光电导法或高频光电导法测量少数载流子寿命时应满足小注入条件。
题目：漩涡缺陷的A缺陷比B缺陷大得多，而数量上少两个数量级。
题目：用冷热探笔法测量半导体硅单晶导电类型时，热探笔的温度要适当，以40～50℃为宜。
题目：用冷热探笔法测量N型半导体时，冷端带负电，热端带正电。
题目：用冷热探笔法测量P型半导体时，冷端带负电，热端带正电。
题目：原生晶体中的漩涡缺陷不容易充分显示，尤其是直拉单晶，经过热处理才变得明显化。
题目：在位错密度的两种表示方法中，通常采用位错的体密度来表示。
题目：直流四探针笔法测量电阻率时，假定半导体样品的电阻率是均匀的，并假定它是半无限大的样品。
题目：直流四探针笔法测量电阻率时，首先将样品测试面进行研磨或喷砂处理，以增大表面复合，减少少数载流子注入的影响。
题目：将下列测量电阻率方法及公式一一对应
“题目：将下列半导体硅的常用腐蚀剂液体试剂的浓度一一对应。
（1）HF A.70%
（2）HNO3 B.49%
（3）H2O2 C.30% {（1）
; （2）
; （3）
} -> {B; A; C}”
“题目：将下列半导体硅的常用腐蚀剂液体试剂的浓度一一对应。
（1）HCL A.冰醋酸
（2）HAc B.36%
（3）H2O2 C.30% {（3）
; （2）
; （1）
} -> {B; A; C}”
“题目：将下列半导体晶体缺陷类型一一对应。
（1）宏观缺陷 A.杂质沉淀
（2）微观缺陷 B.星形结构
（3）表面机械损伤 C.加工损伤 {（1）
; （2）
; （3）
} -> {C; B; A}”
“题目：将下列不同电阻率的测量电流范围一一对应。
（1）样品电阻率＜0.01 A.样品电流＜100
（2）样品电阻率0.01～1 B.样品电流＜10
（3）样品电阻率1～30 C.＜1 {（1）
; （2）
; （3）
} -> {A; B; C}”
“题目：将下列不同电阻率的测量电流范围一一对应。
（1）样品电阻率>1000 A.样品电流＜1
（2）样品电阻率30～1000 B.样品电流＜0.1
（3）样品电阻率1～30 C.＜0.01 {（3）
; （2）
; （1）
} -> {A; C; B}”
“题目：将下列电阻率测量方法与电阻率值一一对应。答题框中填写答案对应的选项即可
（1）冷热探笔法 A.10-4～104Ω•cm
（2）整流法 B.1～1000Ω•cm
（3）两探针法 C.1000Ω•cm以下
{（1）冷热探笔法
; （3）两探针法
; （2）整流法
} -> {A; B; C}”
“题目：将下列硅的腐蚀剂与腐蚀时间一一对应。
（1）Sirtl腐蚀液 A.10～15min
（2）Dash腐蚀液 B.20 min以上
（3）Secco腐蚀液 C.1～16h {（1）
; （3）
; （2）
} -> {C; A; B}”
“题目：将下列硅的腐蚀剂与腐蚀时间一一对应。
（1）Shimmle腐蚀液 A.10～15min
（2）Wright腐蚀液 B.20 min以上
（3）Sirtl腐蚀液 C.5min {（3）
; （1）
; （2）
} -> {B; C; A}”
“题目：将下列微观缺陷种类与说法一一对应。
（1）空位 A.晶格点阵上的原子由于热运动或辐照离开其平衡位置跑到晶格的空隙中或晶体的表面
（2）填隙原子 B.占据晶格空隙处的多余原子
（3）络合体 C.空位与杂质原子相结合而形成的复合体 {（1）
; （2）
; （3）
} -> {B; A; C}”
